西安邮电大学重点实验室成功制备高耐压性能半导体材料
近日,西安邮电大学由电子工程学院管理的新型半导体器件与材料重点实验室陈海峰教授团队成功在8吋硅片上制备出了高质量的氧化镓外延片,这一成果标志着学校在超宽禁带半导体研究上取得重要进展。
团队负责人陈海峰教授介绍,氧化镓是一种超宽禁带半导体材料,具有优异的耐高压与日盲紫外光响应特性,在功率器件和光电领域应用潜力巨大。硅上氧化镓异质外延有利于硅电路与氧化镓电路的直接集成,同时拥有成本低和散热好等优势。
新型半导体器件与材料重点实验室聘请中国科学院院士、微电子学与固体电子学家郝跃院士为首席科学家,团队师生共30余人,拥有完整的氧化镓工艺实验线及超净工艺间,主要研究超宽禁带氧化镓材料与器件。团队在氧化镓材料生长、器件制备、测试表征等方面具有丰富的科研经验,承担国家自然科学基金、陕西省自然科学基金、陕西省教育厅基金资助的多个研究项目,在物理学报、半导体学报、IEEE Electron Device Letters、Journal of Applied Physics、IEEE Transactions on Electron Devices、Physics Letters A、Nanotechnology、Applied Surface Science、Carbon等发表研究论文100余篇,授权国家发明专利20余项。(通讯员 赵梅链)
![](./W020230309472735377371.png)
免责声明:
① 凡本站注明“稿件来源:中国教育在线”的所有文字、图片和音视频稿件,版权均属本网所有,任何媒体、网站或个人未经本网协议授权不得转载、链接、转贴或以其他方式复制发表。已经本站协议授权的媒体、网站,在下载使用时必须注明“稿件来源:中国教育在线”,违者本站将依法追究责任。
② 本站注明稿件来源为其他媒体的文/图等稿件均为转载稿,本站转载出于非商业性的教育和科研之目的,并不意味着赞同其观点或证实其内容的真实性。如转载稿涉及版权等问题,请作者在两周内速来电或来函联系。